SK하이닉스, 혁신특허포상…D램 성능 및 불량률 개선성과 시상

한국재난안전뉴스 이계홍 선임기자 | SK하이닉스(대표 이석희)는 25일 ‘제4회 혁신특허포상 시상식’을 갖고, 수상자 17명에게 2억 4000만원의 상금을 수여했다. 특허 포상 최고상(금상)은 총 2건으로, D램 회로 면적을 줄이면서 리프레시(Refresh) 기능을 개선한 D램개발 이강설, 김용미 TL과, D램 내부의 배선 간 컨택(Contact) 저항을 낮추고 불량률을 저하시킨 미래기술연구원 김승범 TL이 각각 수상했다. '리프레시'는 D램에서 일정 시간마다 데이터를 유지해 주는 기능. D램은 셀(Cell)에 전하를 축적해 데이터를 저장하는데, 전원이 차단되거나 시간이 지남에 따라 전하가 누전돼 저장된 데이터가 손실되는 특성이 있다. 이를 방지하기 위해 주기적으로 셀을 재생해 데이터를 상기시켜 주는 것을 ‘리프레시’라고 한다. '컨택 저항'은 칩 내부의 미세한 소자와 회로는 웨이퍼 상에 여러 개의 막(Layer)을 쌓고 수차례 깎아내는 과정을 통해 형성되는데, 여기서 위아래의 막과 막 사이를 전기적으로 연결해주는 기둥 형태의 구조물을 ‘컨택’이라고 말한다. 컨택에서 발생하는 저항을 낮추는 것이 제품 불량률을 낮추는 관건이다. SK하이닉스는 이외에도 낸드,

• 이계홍 기자
• 2021-11-26 19:09